CVD & ALD PRECURSORS

高纯半导体薄膜前驱体材料
自主研发 · 规模生产 · 国产替代

专注原子层沉积(ALD)与化学气相沉积(CVD)用金属有机源(MO 源), 纯度 99.9999% 以上、杂质控制在 ppb 级,服务集成电路、高端显示与光伏新能源产业。

99.9999%
产品纯度(6N)
ppb 级
杂质浓度控制
100+ 种
已交付前驱体新材料
< 5 nm
客户应用制程节点

TECHNOLOGY BACKGROUND

ALD 前驱体:精细制程的必选材料

在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等往复循环。薄膜沉积工艺中,ALD 技术即原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是精细制程、深沟槽和立体结构中必选的工艺。

ALD 所需的前驱体多为 MO 源(金属有机源)产品,一般要求纯度达到 99.9999% 以上,杂质浓度达 ppb 级别以内,工艺复杂,需要超高的金属有机合成和高纯度提纯的能力,代表着行业最高科研能力。

  • 原子级精度单原子层逐层沉积,厚度控制精确到埃级
  • 三维共形性深沟槽与立体结构中均匀覆盖,台阶覆盖率优异
  • 极高纯度门槛6N 纯度、ppb 级杂质,合成与提纯能力缺一不可
  • 战略材料属性高端前驱体长期依赖进口,是国产替代的关键环节

APPLICATIONS

ALD 应用领域

随着泛半导体行业对微型化和集成化的要求越来越高,尺寸缩小至亚微米和纳米量级,ALD 作为一种高精度薄膜沉积技术,已渗透至半导体、能源与光学等众多领域。

ALD 在半导体领域的应用

可用于晶体管栅极电介质层(High-k 材料)、金属栅电极、有机发光显示器涂层、铜互联扩散阻挡层、DRAM 电介质层、微流体和 MEMS 涂层、传感器等众多领域。

DRAM 存储结构中 ALD 材料应用示意图

DRAM 存储

电容 High-k(Al、Zr、Hf、Ti、Nb)、电极(Ti、Ru、Nb)、阻挡金属(Ti、Ta、Co、Ru)等关键薄膜层。

NAND 闪存结构中 ALD 材料应用示意图

NAND 闪存

字线(Ti、W、Mo)、接触金属(W)、阻挡金属(Ta)、Box/CTN/Gox(Al、Hf、Si)等堆叠薄膜。

逻辑计算芯片中 ALD 材料应用示意图

逻辑计算(CPU / GPU)

金属栅 High-k(Hf、Zr、Ni、Al 前驱体)、扩散阻挡层 Ti(N)/Ta(N)/Ru、双图案化硬掩膜等。

ALD 在能源领域的应用

ALD 凭借均匀成膜性、精准控制厚度和保形性等多种优势,在光伏领域中发挥着重要作用,同时可用于锂电池薄膜涂层,提高电池性能。

钙钛矿太阳能电池板

钙钛矿电池

应用
电子传输层、钝化保护层
优势
低温工艺、均匀成膜性、台阶覆盖率好
作用
阻隔钙钛矿与电极扩散、阻隔空气、传输电子
锂电池示意图

锂电池

应用
电极涂层
优势
保形性、无孔隙、精准控制厚度
作用
延长锂离子电池寿命、提高产品安全性

ALD 在光学领域的应用

光学薄膜沉积示意

由于 ALD 具有三维共形沉积和大面积均匀性特点,已成功应用于高质量光学薄膜、增透膜、折射率可调的光学薄膜、波状多层膜,改善了光子晶体的光学性质和可控性,增加了光子晶体在未来光学器件中的应用潜力。

PRODUCT FEATURES

ALD 前驱体产品特点

6N 超高纯度

纯度达 99.9999% 以上,金属杂质浓度控制在 ppb 级以内,满足先进制程对缺陷密度的苛刻要求。

自主知识产权

产品具有自主知识产权,核心合成路线与提纯工艺自主可控,打破国外垄断。

原材料国产化

关键原材料实现国产化,保障供应链安全,交付周期稳定可控。

覆盖先进制程

高纯硅基前驱体系列、High-k 前驱体系列等百余种产品,部分新品已用于 5nm 以下制程薄膜制备。

定制合成能力

依托金属有机合成平台,可按客户工艺需求快速开发新型前驱体分子。

全流程质控

从合成、提纯到充装全程洁净控制,ICP-MS 等精密分析手段保障批次一致性。

PRODUCT INDEX

产品索引

前驱体用途索引

高介电常数前驱体(High-k) 介质层前驱体 互连和屏蔽 钙钛矿光伏电池
TDMAHDISCCTBATDMASn
TEMAHBDEASCpCo(CO)2
TDMAT3DMASPDMAT
TDMAZBTBASRu(EtCp)2
TEMAZBDMAS
Cp-ZrTMDSO
Cp-HfHMDSO

前驱体元素索引

R&D & MANUFACTURING

研发与生产能力

在半导体领域,公司主要致力于高纯半导体薄膜(ALD、CVD)前驱体材料的自主研发和生产。成立以来,已陆续向多家半导体客户提供了百余种前驱体新材料,包括高纯硅基前驱体系列、High-k 前驱体系列等产品,部分新品已被客户用于 5nm 以下制程薄膜制备。

公司致力为客户提供优质的产品并建立互信、长久的合作关系,产品具有自主知识产权且原材料国产化,打破国外垄断的同时保证供应链的安全。敦茂新材料愿与国内芯片、高端显示、光伏新能源等高端客户一起携手,解决高端半导体材料的卡脖子难题,早日实现进口替代。

  • 金属有机合成平台无水无氧条件下的高活性金属有机化合物合成
  • 高纯提纯产线多级提纯工艺,稳定实现 6N 级产品批量交付
  • 精密分析检测ICP-MS 等检测手段,ppb 级杂质定量与批次追溯
  • 洁净充装体系高纯源瓶与洁净充装,保障产品运输与使用安全
研发实验室内的合成实验操作
合成研发实验室
高纯提纯与中试生产装置
提纯与放大生产装置
ICP-MS 精密分析检测设备
ICP-MS 分析检测中心

ELEMENTS

元素分类

公司金属有机产品覆盖碱金属、非金属、碱土金属、主族金属、类金属、过渡金属与镧系七大类元素,点击分类可筛选查看。

标注元素为 ALD 前驱体关键元素(Si、Hf、Zr、Ti、Ta、Co、Ru、Pt 等)

ABOUT & CONTACT

关于敦茂

安徽敦茂新材料科技有限公司,专业生产各类高端金属有机产品,包括铪、锆、钯、钐等相关产品,可广泛应用于医药、半导体、石化、新材料等行业。

其中铪和锆相关产品,可广泛应用于 ALD 相关行业;钯、铑、钌等相关产品可广泛用于医药、材料领域。公司同时经营催化剂、配体、有机硅及其他精细新材料产品线,支持结构式检索与定制合成服务。

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